本發(fā)明公開了屬于新型電子器件及光信息技術(shù)領(lǐng)域的一種亞微米光子晶體位相陣列光分束器的制作方法。該方法為:1)求解二維六角光子晶體位相陣列結(jié)構(gòu)的菲涅耳衍射方程,確定最佳設(shè)計(jì)參數(shù);2)設(shè)計(jì)二維亞微米周期結(jié)構(gòu)的六角光子晶體微結(jié)構(gòu)陣列掩膜板,在鈮酸鋰晶體上刻蝕出微結(jié)構(gòu)陣列極化反轉(zhuǎn)電極;3)對鈮酸鋰晶體進(jìn)行電場極化,制備出亞微米結(jié)構(gòu)的六角陣列分布的晶體;4)洗去鈮酸鋰晶體±z面上的鋁電極,在±z面磁控濺射氧化銦錫薄膜平板電極,將鈮酸鋰晶體±z面與直流電源正負(fù)極相接,調(diào)節(jié)電壓的大小來實(shí)現(xiàn)位相陣列光分束效應(yīng)。本發(fā)明設(shè)計(jì)的光分束器具有分束均勻性好、光斑點(diǎn)陣數(shù)多、衍射效率高等優(yōu)點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)信息的并行傳輸與處理。
聲明:
“亞微米光子晶體位相陣列光分束器的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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