一種諧振器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,該諧振器包括襯底以及依次設(shè)置于襯底上的二氧化硅層和鈮酸鋰薄膜層,其中,鈮酸鋰薄膜層上劃分有以預(yù)設(shè)距離相間隔的第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域,對鈮酸鋰薄膜層的第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域分別刻蝕并穿透二氧化硅層至露出襯底,在第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域內(nèi)填充保護(hù)墻,保護(hù)墻至少超出二氧化硅層的上表面。該諧振器能夠有效控制空腔的形狀,從而避免影響器件性能。
聲明:
“諧振器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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