本申請公開了一種利用熔鹽法制備氟化鑭單晶、
稀土摻雜氟化鑭單晶的方法。制備氟化鑭單晶或稀土摻雜氟化鑭單晶的方法,均采用氟化鋰為助熔劑;將含有氟化鑭和助熔劑氟化鋰的物料或含有氟化鑭、助熔劑氟化鋰和稀土源的物料置于熔鹽提拉爐中,在含有四氟化碳和惰性氣體的保護氣氛中生長得到所述氟化鑭單晶或稀土摻雜氟化鑭單晶。采用熔鹽法生長晶體,能夠降低單晶的生長溫度,可以降到1100℃以下,極大的減少生長過程中熔體的揮發(fā);熔鹽爐設備簡單,也比較便宜,可以生長出大尺寸的晶體,從而可以大大降低單晶的成本。單晶具有廣泛的應用,采用熔鹽法有利于實現(xiàn)其廣泛應用的價值。
聲明:
“利用熔鹽法制備氟化鑭單晶及稀土離子摻雜氟化鑭單晶的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)