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負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用。該
硅基負(fù)極材料包括由內(nèi)向外依次設(shè)置的硅基主體材料和第一包覆層,第一包覆層包含偏硅酸鋰。偏硅酸鋰可以有效限制硅基主體材料在充電時的體積膨脹,使硅基負(fù)極材料整體上在循環(huán)過程中體積變化程度大大減小,這樣一方面避免充放電過程中硅基負(fù)極材料發(fā)生的巨大體積膨脹和收縮導(dǎo)致活性材料粉化脫落的問題,另一方面可以緩解反復(fù)的膨脹/收縮使得硅基負(fù)極材料表面的SEI膜破碎導(dǎo)致的電池容量嚴(yán)重下降的問題。此外,偏硅酸鋰和硅基主體材料之間有較好的兼容性,不會與電解液或與硅基主體材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),進(jìn)而有效提升了硅基負(fù)極材料循環(huán)性能。
聲明:
“硅基負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)