本發(fā)明公開(kāi)了一種低衰減環(huán)形纖芯光纖,涉及低衰減光纖領(lǐng)域。該光纖由內(nèi)至外依次包括內(nèi)石英包層、環(huán)形纖芯和外石英包層,其中,內(nèi)石英包層和外石英包層均由摻鉀、鋰或硼的二氧化硅組成,環(huán)形纖芯由僅摻鍺或者鍺鉀、鍺鋰共摻的二氧化硅組成;內(nèi)石英包層的折射率與外石英包層的折射率相等,且環(huán)形纖芯的折射率大于內(nèi)石英包層的折射率。該光纖還包括位于內(nèi)石英包層與環(huán)形纖芯之間的內(nèi)下凹石英包層以及位于環(huán)形纖芯與外石英包層之間的外下凹石英包層;內(nèi)下凹石英包層和外下凹石英包層均由僅摻氟或者氟鉀、氟鋰共摻的二氧化硅組成,內(nèi)下凹石英包層的折射率與外下凹石英包層的折射率相等。本發(fā)明提供的光纖具有低衰減和高階OAM模式傳輸?shù)膬?yōu)點(diǎn)。
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“低衰減環(huán)形纖芯光纖” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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