本發(fā)明屬于多孔硅材料的合成領(lǐng)域,具體涉及一種鎂熱還原制備多孔硅的方法。該方法以硅的氧化物SiOx(x=0.5-2)為原料,通過鎂熱還原反應(yīng)生成硅和氧化鎂的混合物,再使用酸選擇性溶解掉氧化鎂,最終獲得自支撐的多孔硅材料。本發(fā)明提供的方法相對于以往傳統(tǒng)的
電化學(xué)陽極腐蝕方法,避免使用價格昂貴的單晶硅片,而采用簡單易得且成本較低的硅氧化物作為原料,既降低了成本又提高了產(chǎn)量,且制備工藝簡單、環(huán)境友好、制備效率高、重復(fù)性好,更適合工業(yè)化生產(chǎn),有望在鋰離子二次電池、光電材料、生物醫(yī)藥和氣敏器件等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
聲明:
“鎂熱還原制備多孔硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)