本申請公開了一種氮化鎵單晶材料及其制備方法、應用,所述氮化鎵單晶材料為相互交聯(lián)的氮化鎵單晶納米片,所述交聯(lián)處為單晶結(jié)。本申請通過化學氣相沉積方法在覆蓋有金屬A層的鎵酸鋰襯底上生長氮化鎵納米片,制備的高質(zhì)量氮化鎵納米片在鎵酸鋰襯底上沿兩個方向傾斜排列且納米片之間通過單晶結(jié)互相交聯(lián),實現(xiàn)了一維納米片之間的載流子傳輸。
聲明:
“氮化鎵單晶材料、其制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)