本發(fā)明涉及高能硅晶電解質(zhì)及其制備方法,該電解質(zhì)采用硅酸鈉溶液10%~30%重量,稀硫酸70%~90%重量為基料,添加占基料0.8~1.5%重量的氫氧化鋰、占基料0.1~0.2%重量的阻氫劑、占基料0.0008~0.0011%重量的硫酸鈷經(jīng)混合制備而成。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有環(huán)保、高能以及免維護(hù)等特點(diǎn)。
聲明:
“高能硅晶電解質(zhì)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)