本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體公開一種具有梯形襯底的PPLN脊形波導(dǎo)器件的制作方法,通過在鈮酸鋰晶體的一面設(shè)置能夠進行標記的劃痕,通過控制劃痕深度來控制拋光程度,達到精密拋薄的效果,從而簡化了鈮酸鋰薄膜的制備過程,具有很強的實用價值。
聲明:
“具有梯形襯底的PPLN脊形波導(dǎo)器件及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)