本發(fā)明涉及一種高純度、高密度MoO2層片狀納米結(jié)構(gòu)的制備方法,屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在真空加熱爐中,采用三氧化鉬(MoO3)和硫(S)粉作為蒸發(fā)源,在真空環(huán)境中通過熱蒸發(fā)的方法,在載氣作用下,在基片上可控合成和生長MoO2層片狀納米結(jié)構(gòu)。該方法具有反應(yīng)平和、
納米材料的合成與生長條件嚴(yán)格可控、設(shè)備和工藝簡單、產(chǎn)品收率和純度高、成本低廉、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。所獲得的納米結(jié)構(gòu)產(chǎn)物密度高,納米結(jié)構(gòu)的厚度分布均勻,可望在電子器件、鋰離子電池等方面獲得廣泛應(yīng)用。
聲明:
“高純度高密度MoO2層片狀納米結(jié)構(gòu)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)