本發(fā)明涉及一種提高電光調(diào)制器帶寬的電極結構,屬于鈮酸鋰電光調(diào)制技術領域。為了解決電光調(diào)制器的相速失配問題,本發(fā)明在調(diào)制器
芯片行波電極底部設計了一個鏤空結構,可以不填充材料,也可以填充二氧化硅等低介電常數(shù)材料,經(jīng)過計算能夠有效降低微波等效折射率,大幅增大電光調(diào)制器的器件帶寬,為提高鈮酸鋰電光調(diào)制器帶寬提供了新的方法。
聲明:
“提高電光調(diào)制器帶寬的電極結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)