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半導(dǎo)體元件的制造方法

1041   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:37:29
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法。在離子注入步驟中,鋰(LI)、硫(S)或硒(SE)被用作摻雜劑,它們具有比硅半導(dǎo)體制造工藝中常用作摻雜劑的磷(P)或砷(AS)高的對(duì)硅的擴(kuò)散系數(shù)。在激活步驟中,通過(guò)將固態(tài)激光器或準(zhǔn)分子激光器與半導(dǎo)體激光器結(jié)合使用來(lái)對(duì)離子注入表面進(jìn)行激光退火。在激活步驟期間半導(dǎo)體激光器將激光束連續(xù)地照射到整個(gè)晶片表面。固態(tài)激光器或準(zhǔn)分子激光器發(fā)射脈沖激光束。當(dāng)按照上述配置方式時(shí),就能防止器件失效的出現(xiàn)從而制造出具有令人滿(mǎn)意的特性的半導(dǎo)體元件。亦有可能防止在激光照射期間產(chǎn)生的熱引起的器件損壞。
聲明:
“半導(dǎo)體元件的制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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