本發(fā)明涉及低界面阻抗硅/石墨復(fù)合
負(fù)極材料。該復(fù)合負(fù)極材料是以納米硅材料為基底材料,中間層為厚度2~100nm的碳化硅膜,連接硅基體與石墨融合,通過控制膜的厚度保證鋰離子在硅/石墨符合體系中的擴(kuò)散不受界面影響,保證界面低阻抗特征。本發(fā)明通過構(gòu)筑界面層降低硅與石墨之間界面阻抗,實(shí)現(xiàn)硅/石墨復(fù)合負(fù)極材料一體化,然后通過二次造粒、包覆、粉碎、篩分形成低界面阻抗一體化復(fù)合負(fù)極材料產(chǎn)品。本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)是:在硅表面構(gòu)筑一層具有鋰離子穿透能力的碳化硅膜,一方面保護(hù)硅在高溫下與石墨接觸并發(fā)生反應(yīng)而生成碳化硅,進(jìn)而失去硅的活性;另一方面碳化硅作為硅與石墨融合的界面層,降低了硅與石墨固相之間界面阻抗,提高了硅與石墨的一體化程度。另外,在硅/石墨融合過程中加入氣相
碳纖維,進(jìn)一步降低界面阻抗。
聲明:
“低界面阻抗硅/石墨復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)