通過在硅片上首先生長中間張力減輕層可以生長覆蓋硅片的結(jié)晶壓電材料如鈮酸鋰和鉭酸鋰的外延層。在壓電層生長之前,張力減輕層是結(jié)晶的金屬氧化物,幫助橋接硅和壓電材料之間的晶格失配。在薄結(jié)晶壓電層生長之后,非晶化張力減輕層以去耦硅和壓電晶格。然后可以重新開始壓電層的生長,以獲得適合于電-聲器件制造的優(yōu)質(zhì)厚層。可以使用外延的壓電層制造無源和有源電-聲器件。具體地,設(shè)計(jì)和制造利用硅和壓電外延覆蓋層的聲音電荷傳送器件。電-聲器件可以與在硅片上制造的半導(dǎo)體器件電路集成。
聲明:
“單片半導(dǎo)體壓電器件結(jié)構(gòu)和電-聲電荷傳送器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)