本發(fā)明涉及可控制備硅化物納米結(jié)構(gòu)的技術(shù),具體為一種硅化物納米帶或納米片的制備方法。本發(fā)明通過(guò)向反應(yīng)室內(nèi)同時(shí)引入氯代
硅烷與氫氣在金屬基體表面于500~1500℃下發(fā)生分解反應(yīng),從而在金屬基體表面原位生長(zhǎng)出硅化物納米帶或納米片。本發(fā)明通過(guò)控制氯代硅烷與氫氣的流量比就可以容易地實(shí)現(xiàn)納米帶或納米片的選擇制備,所制備硅化物納米帶的典型尺寸如下:長(zhǎng)度10~50ΜM,寬度0.5~5ΜM,厚度100~200NM。硅化物納米片的典型尺寸為:長(zhǎng)度和寬度都在5~50ΜM,厚度10~100NM??傊?利用本發(fā)明提供的方法可以實(shí)現(xiàn)多種硅化物納米帶和納米片的控制制備,突破了目前硅化物只有納米線存在的狀態(tài),可望應(yīng)用于納米器件和鋰離子電池
負(fù)極材料。
聲明:
“硅化物納米帶/納米片的可控制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)