本申請?zhí)峁┮环N光開關(guān),包括第一無源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、第二無源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和有源波導(dǎo)結(jié)構(gòu),有源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)于第一無源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和第二無源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間;第一無源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和第二無源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)均采用氮化硅材料制備形成,有源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)采用鈮酸鋰薄膜材料制備形成;本申請?zhí)岢龅墓忾_關(guān)將氮化硅的較低傳輸損耗的優(yōu)勢與鈮酸鋰薄膜的優(yōu)異的電光特性的優(yōu)勢結(jié)合,使得兩種材料混合集成的光開關(guān)具有低損耗、快開關(guān)速度與低功耗等優(yōu)勢。
聲明:
“光開關(guān)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)