本發(fā)明涉及一種高質(zhì)量大尺寸LBO晶體的制備方法,屬于晶體制備的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明是將原料混合均勻后置于帶蓋的坩堝中,然后將其置于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi),升溫化料;種晶后,采用向上提拉的生長(zhǎng)方式,經(jīng)過(guò)程序降溫生長(zhǎng)獲得高質(zhì)量的LBO晶體;所述原料包括
碳酸鋰和硼酸。本發(fā)明通過(guò)在坩堝上加蓋子的方法可以有效避免環(huán)境污染物進(jìn)入熔液中,減少揮發(fā)物的形成和損失;同時(shí)在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中通過(guò)控制一定向上提拉速度,有效避免了晶體包料和開(kāi)裂現(xiàn)象,獲得高質(zhì)量LBO晶體。
聲明:
“高質(zhì)量大尺寸LBO晶體的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)