本發(fā)明提供了一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法。在基體上預(yù)先刻蝕出呈對稱排布的空腔矩陣;在所述空腔矩陣內(nèi)通過沉積二氧化硅,并涂覆鈮酸鋰晶體薄膜,構(gòu)成布拉格反射層;在所述布拉格反射層上方設(shè)置呈蓋狀的底電極,覆蓋每個空腔,并在所述底電極上設(shè)置有與所述底電極材質(zhì)相同的支撐柱;在相鄰的底電極之間進(jìn)行氧化鋅直流磁控濺射,構(gòu)成氧化鋅層;其中,所述氧化鋅層的填充高度不超過所述蓋狀的底電極的上蓋面;在所述氧化鋅層上進(jìn)行制備介電層;其中,所述介電層通過氮化鋁沉積填充構(gòu)成;在所述介電層上通過直流磁控濺射鍍膜的方式構(gòu)成厚膜層,并在所述厚膜層上進(jìn)行光刻和蝕刻,構(gòu)成頂電極。
聲明:
“基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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