一種二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列,包括管墻獨(dú)立結(jié)構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列和在二氧化鈦納米管內(nèi)壁面、外壁面上均勻沉積的聚吡咯導(dǎo)電膜。一種二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列的制備方法,以管墻獨(dú)立結(jié)構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列作為電極基體,以吡咯單體和高氯酸鋰的乙氰溶液為工作電解質(zhì),采用脈沖伏安法進(jìn)行電聚合反應(yīng),在二氧化鈦納米管的外壁面和內(nèi)壁面上分別形成均勻完整的聚吡咯導(dǎo)電膜,得到由沉積在二氧化鈦納米管內(nèi)壁面上的聚吡咯導(dǎo)電膜、二氧化鈦納米管及沉積在二氧化鈦納米管外壁面上的聚吡咯導(dǎo)電膜構(gòu)成的同心軸中空結(jié)構(gòu)的夾套納米管陣列。一種二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列作為超級(jí)電容器電極材料進(jìn)行
電化學(xué)儲(chǔ)能的應(yīng)用。
聲明:
“二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列及制備方法和儲(chǔ)能應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)