本發(fā)明公開了一種單面拋光超薄晶圓加工方法,包括如下步驟:首先將黏著介質(zhì)涂布在第一片晶片的背面,另外一片晶片的背面與已經(jīng)涂好黏著介質(zhì)的晶片進(jìn)行背對(duì)背黏合,形成一片復(fù)合晶片,復(fù)合晶片的厚度具有原本單面拋光晶片兩倍的厚度,然后使用雙面拋光工藝對(duì)復(fù)合晶片進(jìn)行雙面拋光加工,加工完成后再將晶片之間的黏著介質(zhì)去除。本發(fā)明可以完全免除傳統(tǒng)工藝需要再透過單面粗化的作法才能得到高平坦度的晶片水準(zhǔn),以達(dá)到高產(chǎn)出、工藝簡化、成本降低的目的,解決了傳統(tǒng)加工工藝無法達(dá)到鉭酸鋰(LiTaO
3;LT)晶片厚度<200um,平坦度在5mm
2<0.5um,PLTV>95%穩(wěn)定產(chǎn)品品質(zhì)要求,且加工效率低,工藝復(fù)雜,生產(chǎn)成本高的問題。
聲明:
“單面拋光超薄晶圓加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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