本發(fā)明提供一種取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列的制備方法。其工藝過(guò)程和步驟如下:將拋光的鈦片放入NH4F,H2O和乙二醇中進(jìn)行陽(yáng)極氧化法制備二氧化鈦納米管陣列,一次氧化后制備的薄膜超聲和氮?dú)獯等コ?,之后再繼續(xù)進(jìn)行二次陽(yáng)極氧化,將制備的二氧化鈦納米管陣列在異丙醇中清洗。分別在真空中進(jìn)行退火,溫度450度,升溫速率0.5℃/min保溫2h,并在空氣中退火進(jìn)行對(duì)比。本發(fā)明制備的二氧化鈦納米管陣列結(jié)構(gòu)有序,孔徑100nm左右,管壁厚度10nm左右,在真空退火的條件下可得高度結(jié)晶有序的二氧化鈦納米管陣列,其超級(jí)電容容量達(dá)到9.44mF?cm-2,
鋰電池達(dá)到319mAh?g-1,本發(fā)明制備的高度結(jié)晶取向的二氧化鈦納米管陣列在能源存儲(chǔ)方面具有很好的應(yīng)用前景。
聲明:
“取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)