本發(fā)明公開了一種利用原子層沉積技術(shù)制備碳洋蔥/氧化釩納米
復(fù)合材料的方法,屬于
納米材料制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。本專利發(fā)明了一種碳洋蔥/氧化釩納米復(fù)合材料,該納米復(fù)合材料中碳洋蔥堆疊成三維多孔結(jié)構(gòu),可提供優(yōu)越的充放電循環(huán)穩(wěn)定性,通過在碳洋蔥表面均勻負載上氧化釩后,更有效提高了碳洋蔥的贗電容,使得該納米復(fù)合材料展現(xiàn)出優(yōu)越的
電化學(xué)性能;同時該納米復(fù)合材料能耗低、成本低、純度高,所合成的碳洋蔥/氧化釩納米復(fù)合材料產(chǎn)量可達到公斤級,同時可通過調(diào)整原料配比進而調(diào)控所合成復(fù)合材料中碳洋蔥與氧化釩的質(zhì)量比,達到控制納米復(fù)合材料的孔徑及比表面積的目的。該復(fù)合材料在鋰離子電池中具有潛在應(yīng)用價值。
聲明:
“利用原子層沉積制備碳洋蔥/氧化釩納米復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)