本發(fā)明公開了一種氮化硅微米管的制備方法,該方法將去除保護(hù)層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在300~600℃的溫度區(qū)間內(nèi)熱解,使光纖表面形成均勻厚度的碳膜;再將光纖在氮?dú)鈼l件下以1100~1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱,使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn)生反應(yīng)生成硅,然后硅與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜;將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉,形成中空的氮化硅微米管。該氮化硅微米管與炭黑進(jìn)行混合,使氮化硅微米管增強(qiáng)導(dǎo)電性,然后在其中加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物,再均勻涂在洗凈的銅箔表面,可得到氮化硅微米管組成的硅
負(fù)極材料。本發(fā)明制造的氮化硅微米管結(jié)構(gòu)可用于制備
鋰電池的電極材料。本發(fā)明方法工藝流程簡單,可控性強(qiáng),成本比較低。
聲明:
“氮化硅微米管制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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