1-x/Si@C微球及制備方法和應(yīng)用,加工技術(shù)"> 1-x/Si@C微球及制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種α?MoC1?x/Si@C微球及制備方法和應(yīng)用,以多巴胺為碳源的碳形成微米級(jí)別的球作為骨架,前驅(qū)體中的鉬酸銨提供鉬元素再碳基質(zhì)上原位形成大量的碳化鉬顆粒,作為較大的碳/碳化鉬導(dǎo)電載體,被碳基質(zhì)包裹的納米二氧化硅被還原為納米硅顆粒牢固地被碳骨架包覆,以此形成了納米硅顆粒分布在碳/碳化鉬主體內(nèi)的球狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明用溫和的鎂熱法較好地保留了材料的初始形貌,還原的Si被碳層包覆,可改善其在脫?嵌鋰過(guò)程的體積膨脹,提升循環(huán)壽命。">
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