本發(fā)明公開了一種雙相硅加硅化鎂納米
復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用,屬于
納米材料技術(shù)領(lǐng)域。該雙相硅加硅化鎂納米復(fù)合材料具有33.3at%至54.1at%的Si含量并且包含具有納米結(jié)構(gòu)Si生成物的Mg
2Si基體的微結(jié)構(gòu),微結(jié)構(gòu)通過(guò)增加每個(gè)Mg
2Si基體和Si生成物界面處的聲子散射來(lái)增強(qiáng)熱電性能,與常規(guī)的Mg
2Si材料形態(tài)相比,至少能減小材料的導(dǎo)熱率,實(shí)驗(yàn)證實(shí)本發(fā)明材料的新型微結(jié)構(gòu)與具有相同合金組成的常規(guī)Mg
2Si合金微觀結(jié)構(gòu)相比,導(dǎo)熱率降低至少10%,優(yōu)選至少15%;另外,Mg2Si的最大放電容量可達(dá)1370mAh/g,工作電壓較低,僅為~0.5V,是一種具有良好發(fā)展?jié)摿Φ匿囯x子電池
負(fù)極材料。
聲明:
“雙相硅加硅化鎂納米復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)