本發(fā)明提供一種硅納米線陣列及其制備方法,屬于微
納米材料合成領(lǐng)域。以成本較低的工業(yè)級硅藻土作為硅源,預處理之后與石墨和海藻酸鈉混合研磨制漿,干燥后與聚酰亞胺膜、金屬鋰片封裝,充放電數(shù)次后制得硅納米線陣列。本發(fā)明原料易得,工藝簡單,成本較低,應用前景廣闊。制備出的硅納米線形貌特征鮮明,直徑大約為50nm,整體呈規(guī)整的陣列狀排列,在納米電子器件、光電子器件以及新能源等方面具有較大的應用前景。
聲明:
“硅納米線陣列及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)