本發(fā)明涉及一種三氧化鉬四方納米片的制備方法,其特征在于步驟如下:將鉬源、硫源及還原劑溶于溶劑中,通過(guò)離心攪拌使其均勻的分散到溶液中,移入不銹鋼反應(yīng)釜,密封,恒溫100℃~300℃反應(yīng)24h后,冷卻至室溫,得到反應(yīng)產(chǎn)物,分離上述反應(yīng)產(chǎn)物,洗滌、干燥,得到前驅(qū)體MoS2;將MoS2
納米材料置于管式爐中,在空氣或氧氣氣氛中,300℃~600℃下恒溫保溫24h,退火0.5~5h得到MoO3四方納米片,厚度在100-150nm,大小1~2μm。本發(fā)明方法的原料易得、價(jià)格低廉,制備工藝簡(jiǎn)單、參數(shù)易控,生產(chǎn)過(guò)程安全環(huán)保,其能在氣敏、磁性及
鋰電材料等方面廣泛應(yīng)用。
聲明:
“三氧化鉬四方納米片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)