本發(fā)明公開了一種SnO2納米線陣列的制備方法,包括以ITO玻璃為襯底,采用水熱法進(jìn)行SnO2納米線陣列生長,所述的SnO2納米線陣列中SnO2納米線的長徑比為4~12,所述的SnO2納米線陣列中SnO2納米線的直徑為50~100nm,SnO2納米線的長度為400~600nm。本發(fā)明所得的SnO2納米線陣列結(jié)構(gòu)是由金紅石結(jié)構(gòu)的SnO2單晶納米棒構(gòu)成,從微觀結(jié)構(gòu)上看,SnO2納米線陣列排列致密,均一性好,可以用作場發(fā)射、光催化、氣敏傳感器和鋰離子電池
負(fù)極材料。
聲明:
“SnO2納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)