本發(fā)明涉及一種Cs2AgxLi1?xInCl6:Bi雙鈣鈦礦量子點(diǎn)及其制備方法，該雙鈣鈦礦量子點(diǎn)采用以下制備方法制備得到：(1)取銫源、銀源、鋰源、銦源和鉍源分散于二甲基亞砜中，經(jīng)反應(yīng)得到前驅(qū)體溶液；(2)將所得前驅(qū)體溶液噴涂在玻璃片上，經(jīng)加熱得到目的產(chǎn)物。本發(fā)明通過(guò)摻雜Li+離子和Bi3+離子提高量子點(diǎn)產(chǎn)物的量子效率，同時(shí)補(bǔ)償其晶體缺陷，利用雜化后晶格結(jié)構(gòu)扭曲以及能帶發(fā)生改變來(lái)控制電子躍遷，從而使量子點(diǎn)發(fā)光強(qiáng)度增大，穩(wěn)定性增強(qiáng)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明雙鈣鈦礦量子點(diǎn)量子效率較高，制備方法較簡(jiǎn)單，無(wú)需高溫、惰性氣體保護(hù)、真空等條件，在制備過(guò)程中可以通過(guò)調(diào)節(jié)x的數(shù)值比例來(lái)改變禁帶寬度從而調(diào)節(jié)波長(zhǎng)，且本發(fā)明制備方法對(duì)量子點(diǎn)摻雜適用性廣。