本發(fā)明公開一種導(dǎo)電基體生長銅納米片的方法,涉及電極材料制備領(lǐng)域,基于沒有在導(dǎo)電基體上原位生長銅納米片的有效方法的問題而提出的,該方法先通過含有氯化鹽、銅鹽的酸性溶液中進(jìn)行電鍍獲得氯化亞銅?銅/導(dǎo)電基體
復(fù)合材料,然后通過高溫?zé)崽幚慝@得氯化亞銅?氧化銅/導(dǎo)電基體復(fù)合材料,再經(jīng)
電化學(xué)還原氯化亞銅和氧化銅后,得到銅納米片/導(dǎo)電基體復(fù)合材料,本發(fā)明還提供上述制備方法獲得的銅納米片/導(dǎo)電基體復(fù)合材料及其應(yīng)用,本發(fā)明的有益效果在于:通過導(dǎo)電基體上生長二維銅納米片結(jié)構(gòu),具有比表面積大的優(yōu)點(diǎn),且無需使用粘結(jié)劑,電極內(nèi)阻小,在電催化、傳感以及鋰離子電池領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“導(dǎo)電基體生長銅納米片的方法、導(dǎo)電基體復(fù)合材料及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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