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制備Si定點(diǎn)取代非晶納米線陣列的方法

999   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:19:44
本發(fā)明涉及一種制備Si定點(diǎn)取代非晶納米線陣列的方法,(1)將醋酸鋅、氧化鍺加入到水和乙二胺的混合溶劑中;(2)將步驟(1)得到的混合物經(jīng)磁力攪拌得到均勻溶液;(3)將單晶Si片進(jìn)行預(yù)處理,然后洗滌、干燥;(4)在步驟(2)得到的均勻溶液中加入預(yù)處理好的單晶Si片,然后進(jìn)行水熱反應(yīng);(5)將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻,洗滌、干燥,在Si片上得到最終產(chǎn)物。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備方法新穎,重復(fù)性好,產(chǎn)品性質(zhì)穩(wěn)定,具有更高的比表面積、表面活性和光利用效率,可廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽(yáng)能電池、鋰離子電池和超級(jí)電容器等諸多儲(chǔ)能領(lǐng)域。
聲明:
“制備Si定點(diǎn)取代非晶納米線陣列的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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