本發(fā)明屬于電極材料合成及應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種二維金屬有機框架基復(fù)合電極材料及制備方法和應(yīng)用,所述復(fù)合電極材料Cu?HHTP/G是在Cu?HHTP金屬有機框架基的合成過程中原位引入
石墨烯后獲得,所述復(fù)合電極材料的結(jié)構(gòu)為由Cu?HHTP和石墨烯片層相互連接形成的二維連續(xù)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的二維金屬有機框架基有機無機雜化電極材料(Cu?HHTP/G)相比于單純的二維金屬有機框架材料不僅具有更高的導(dǎo)電性能,能夠?qū)崿F(xiàn)有機材料和無機材料分子水平上的雜化,而且能夠解決二維金屬有機框架結(jié)構(gòu)易堆積這一嚴(yán)峻問題,得到豐富的氧化還原活性位點,進一步提升材料的儲鋰性能。同時該材料制備工藝過程簡便,對設(shè)備要求低,具有良好的前景。
聲明:
“二維金屬有機框架基復(fù)合電極材料及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)