提供了在微電子學(xué)中用于接合異種材料的技術(shù)。示例技術(shù)使用厚度介于100納米至1000納米之間的薄氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物或氧氮化物中間物,在環(huán)境室溫下直接鍵合異種材料。中間物可以包括硅。異種材料可能具有顯著不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)和/或顯著不同的晶格晶胞幾何形狀或尺寸,常規(guī)上講會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變過(guò)大以使得直接鍵合不可行。在直接鍵合異種材料之后,環(huán)境室溫下的固化時(shí)段允許直接鍵合增強(qiáng)200%以上。以每分鐘1℃或更低的溫度增加速率緩慢施加的相對(duì)低溫的退火會(huì)進(jìn)一步增強(qiáng)和鞏固直接鍵合。示例技術(shù)可以在各種新型光學(xué)器件和聲學(xué)器件的制作過(guò)程中將鉭酸鋰LiTaO
3直接鍵合到各種傳統(tǒng)襯底。
聲明:
“在微電子學(xué)中用于接合異種材料的技術(shù)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)