本發(fā)明公開(kāi)了一種暴露高能(111)晶面立方結(jié)構(gòu)Cu2Se單晶納米線的制備方法,采用簡(jiǎn)單的溶劑熱法,制備出暴露高能(111)晶面且具有大的縱橫比的立方相Cu2Se單晶納米線,Cu2Se納米線沿[-202]方向生長(zhǎng),納米線的直徑為142nm~1.1μm、長(zhǎng)度為5.4~102μm。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單,成本低,重復(fù)性和一致性好,所制備的暴露高能(111)晶面立方結(jié)構(gòu)Cu2Se單晶納米線可望在光催化、
太陽(yáng)能電池、超離子導(dǎo)體、鋰離子電池和超級(jí)電容器等應(yīng)用中體現(xiàn)增強(qiáng)的光電性能。
聲明:
“暴露高能(111)晶面立方結(jié)構(gòu)Cu2Se單晶納米線的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)