一種具有高離子電導(dǎo)率的NASICON型固體電解質(zhì)及其制備方法。該方法通過(guò)向Li
1+xAl
xGe
2?xP
3O
12(其中0≤x≤1,以下x均在此范圍內(nèi))微晶玻璃中引入B
2O
3來(lái)進(jìn)一步降低Li
+離子的活化能,從而提高微晶玻璃的離子電導(dǎo)率。本發(fā)明NASICON固體電解質(zhì)主體為L(zhǎng)i
1+xAl
xGe
2?xP
3O
12微晶玻璃,摩爾成分為:14.82~25.00mol%的Li
2O,24.69~45.00mol%的GeO
2,2.47~12.50mol%的Al
2O
3,37.04~37.50mol%的P
2O
5和0.01~1.23mol%B
2O
3。本發(fā)明采用鉑金坩堝制備玻璃前驅(qū)體,再將玻璃前驅(qū)體在馬弗爐中熱處理后得到具有NASICON結(jié)構(gòu)的微晶玻璃固體電解質(zhì)。通過(guò)控制B
2O
3的摻入濃度,使得該NASICON類(lèi)型固體電解質(zhì)常溫下的離子電導(dǎo)率提高4倍左右,該固體電解質(zhì)具有高離子電導(dǎo)率、無(wú)毒、安全穩(wěn)定和易于加工等優(yōu)勢(shì),在全固態(tài)鋰電中有極大的應(yīng)用前景。
聲明:
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我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)