本發(fā)明涉及一種晶粒裂紋檢測(cè)識(shí)別方法、計(jì)算機(jī)裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)。包括:1、通過(guò)深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)橫斷面掃描電鏡圖提取邊緣紋理,獲得整體邊緣紋理圖,獲得橫斷面掃描電鏡圖上的單一顆粒的掩模圖,2、將整體邊緣紋理圖與對(duì)應(yīng)的單一顆粒的掩模圖相乘,獲得單一顆粒的邊緣紋理圖,3、將單一顆粒的邊緣紋理圖實(shí)施裂紋分割操作得到單一顆粒的裂紋二值掩模圖,4、將單一顆粒的裂紋二值掩模圖進(jìn)行形態(tài)學(xué)骨架化操作,提取出單一顆粒的裂紋結(jié)果圖。本申請(qǐng)可獲得單一顆粒的裂紋結(jié)果圖。且裂紋的檢測(cè)識(shí)別結(jié)果較為清楚和準(zhǔn)確。為后續(xù)研究奠定了良好的基礎(chǔ)。本申請(qǐng)得到的裂紋結(jié)果圖可以進(jìn)一步進(jìn)行量化分析,用于
鋰電池壽命預(yù)測(cè)、
正極材料設(shè)計(jì)優(yōu)化等研究。
聲明:
“晶粒裂紋檢測(cè)識(shí)別方法、計(jì)算機(jī)裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)