本發(fā)明公開了一種由二氧化硅制備納米硅的新方法,該方法基于鎂熱還原SiO2是放熱的自發(fā)反應(yīng)的原理,通過在室溫下低轉(zhuǎn)速球磨引發(fā)反應(yīng),并利用反應(yīng)放熱,維持反應(yīng)自發(fā)進行,10min即可基本完成。原料簡單易得,操作步驟非常簡單,具有簡單快捷,產(chǎn)率高,成本低、反應(yīng)產(chǎn)物純度高、易于放大等優(yōu)勢,制備出的納米硅顆粒尺寸小,分布均勻,具有多孔結(jié)構(gòu),可利用在鋰離子電池
負極材料,傳感器,光學(xué)器件等各個方面,極具工業(yè)化應(yīng)用前景。
聲明:
“由二氧化硅制備納米硅的新方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)