本實用新型涉及一種衛(wèi)星用半導體探測器,包括電機、管殼、絕緣墊、硅片;在電極上直接聯(lián)有電極引線,且所述的硅片的初始表面粗糙度為M20—30;本實用新型的鋰附著率高、可減少
半導體材料缺陷,在保護槽內作表面處理并在槽內填以絕緣物質;具有極好的長期穩(wěn)定性、抗振動、抗干擾能力。
聲明:
“衛(wèi)星用半導體探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)