本發(fā)明公開了一種硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜的制備方法,包括以下步驟:(1)采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法,在單晶硅襯底上制備厚度為300-600nm的單顆粒層納米金剛石薄膜;(2)采用離子注入方法,在步驟(1)中得到的單顆粒層納米金剛石薄膜中注入硼離子,得到硼離子注入的薄膜;(3)將步驟(2)中得到的硼離子注入的薄膜真空退火,即制得所述硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜。本發(fā)明制備的硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜,具有優(yōu)異的
電化學(xué)性能,特別具有較好的電化學(xué)催化性能,可用于有機(jī)廢水的電化學(xué)催化氧化處理中。
聲明:
“硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)