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室溫電阻溫度系數(shù)高于10%K的多晶二氧化釩薄膜制備方法

1003 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 06:06:11

本發(fā)明涉及功能薄膜材料制備技術,其采用改進了的離子束增強沉積方法成膜,結合后續(xù)的結晶、退火,實現(xiàn)雜質的均勻摻入和對釩的有效替位,使薄膜的相變起始溫度降低到12-16℃附近。調節(jié)氬/氫比等成膜工藝和結晶熱處理條件,使多晶VO₂薄膜從半導體相向金屬相轉變時,其電阻率的變化超過2個數(shù)量級。選擇摻雜或引入應力等制備方法、摻雜劑量、雜質種類等制備條件,使薄膜相變向低溫適當延展,相變滯豫足夠小,實現(xiàn)室溫附近的TCR大大提高,達10%/K以上,可滿足紅外探測和紅外成像的使用要求。獲得的沉積薄膜與襯底界面結合牢固,結構致密,與CMOS工藝兼容。本發(fā)明原料低廉,具有成本優(yōu)勢,且在成膜過程中沒有廢液、廢氣等危害環(huán)境的物質排放。

聲明：

“室溫電阻溫度系數(shù)高于10%K的多晶二氧化釩薄膜制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)