一種提高SiC場(chǎng)發(fā)射陰極材料高溫電子發(fā)射穩(wěn)定性的方法,其包括以下具體步驟:1)有機(jī)前驅(qū)體聚硅硼氮烷在氣氛燒結(jié)爐中于260℃保溫30min熱交聯(lián)固化,然后球磨粉碎;2)以碳紙為襯底,在0.05mol/L的Co(NO3)2(純度:99%)乙醇溶液中浸漬處理,取出自然晾干備用;3)將粉碎得到的粉末置于
石墨坩堝底部,浸漬處理的碳紙置于石墨坩堝頂部,一起置于氣氛保護(hù)爐中;4)在純度為99.9%的Ar氣氛保護(hù)下,從室溫以25℃/min加熱至1550℃;5)以15℃/min從1550℃降溫至1100℃;6)隨爐冷卻至室溫,實(shí)現(xiàn)原位B摻雜SiC納米線的制備;7)將SiC納米線用作場(chǎng)發(fā)射陰極進(jìn)行電子發(fā)射性能檢測(cè)和分析。通過(guò)B摻雜,SiC場(chǎng)發(fā)射陰極材料的高溫電子發(fā)射穩(wěn)定性得到了有效提高。
聲明:
“一種提高SiC場(chǎng)發(fā)射陰極材料高溫電子發(fā)射穩(wěn)定性的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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