本發(fā)明公開了一種高強(qiáng)度
芯片封裝方法,該高強(qiáng)度芯片封裝方法主要包括如下步驟:a)安接基板,b)安接芯片,c)性能檢測(cè),d)灌注封膠層,e)鍍覆金屬層,f)噴涂散熱層,g)成品檢測(cè)。本發(fā)明揭示了一種高強(qiáng)度芯片封裝方法,該封裝方法工序安排合理,易于實(shí)施,封裝過程中芯片外部的封裝體由多道工序進(jìn)行制備,形成了多層封裝結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了對(duì)芯片的多重保護(hù),有效提高了封裝結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度和韌性,同時(shí),還確保了封裝結(jié)構(gòu)良好的散熱性能,使芯片的使用性能更加優(yōu)越。
聲明:
“一種高強(qiáng)度芯片封裝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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