本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件性能測(cè)試領(lǐng)域,具體涉及一種用于測(cè)試熱電發(fā)電
芯片性能的裝置和方法。該裝置包括:氣氛環(huán)境控制模塊、溫度環(huán)境控制模塊、電信號(hào)控制及測(cè)試模塊和自動(dòng)化測(cè)試軟件。氣氛環(huán)境控制模塊為待測(cè)樣品營(yíng)造不同氣氛環(huán)境的測(cè)試環(huán)境,具體包括真空、惰性氣體環(huán)境、空氣、低壓環(huán)境;溫度環(huán)境控制模塊為待測(cè)樣品提供熱電發(fā)電所需的溫差環(huán)境;電信號(hào)控制及測(cè)試模塊為待測(cè)樣品提供外部的負(fù)載電路并檢測(cè)電路電壓電流信號(hào)。自動(dòng)化測(cè)試軟件與氣氛環(huán)境控制模塊、溫度環(huán)境控制模塊和電信號(hào)控制及測(cè)試模塊分別相連,可以集中控制為待測(cè)樣品提供不同的測(cè)試氣氛、溫差和負(fù)載電路環(huán)境,并檢測(cè)獲取數(shù)據(jù)。該發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)對(duì)熱電發(fā)電芯片性能的多個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試計(jì)算,同時(shí)通過(guò)更換溫度環(huán)境控制模塊的加熱器和散熱器組件,實(shí)現(xiàn)不同溫差環(huán)境下芯片的發(fā)電性能檢測(cè),模仿產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的場(chǎng)景,對(duì)促進(jìn)熱電發(fā)電芯片的研究具有促進(jìn)作用。
聲明:
“一種用于測(cè)試熱電發(fā)電芯片性能的裝置和方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)