本發(fā)明涉及一種具有各向異性的硅量子點(diǎn)薄膜的制備方法,公開了一種調(diào)整元素成分變化產(chǎn)生不同的應(yīng)變能誘導(dǎo)各向異性的多形態(tài)硅量子點(diǎn)形成,進(jìn)而調(diào)整其吸收光譜范圍,并顯著提高所用材料光電轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)方法。主要步驟如下:首先,鍍膜前預(yù)處理,然后利用Ar離子對不同成分比例的硅鍺合金靶和碳靶進(jìn)行磁控共濺射,調(diào)整硅鍺和碳靶的濺射功率,在硅和玻璃基體上沉積成分可控的非晶碳化硅鍺薄膜;再后,在氮?dú)鈿夥罩蟹蛛A段退火處理,形成鑲嵌在非晶SiC內(nèi)部具有各向異性的多形態(tài)硅量子點(diǎn)薄膜。此類薄膜擁有多激子效應(yīng),同時(shí)在1800nm(紅外光)至300nm(紫外光)的波長范圍內(nèi)具有多波長光吸收特征,有望大幅提高硅基
光伏器件的光吸收和光電轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“一種具有各向異性的硅量子點(diǎn)薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)