本發(fā)明公開了一種金剛石納米線陣列、制備方法及用于
電化學(xué)分析的電極。該制備方法包括:在金剛石薄膜的表面上設(shè)置掩模層,該掩模層的圖形構(gòu)成為覆蓋待形成的各個金剛石納米線的頂端,并暴露出相鄰的金剛石納米線之間的待刻蝕部分;采用ICP-RIE刻蝕工藝對具有掩模層的金剛石薄膜刻蝕,以去除待刻蝕部分,在金剛石薄膜中形成柱狀的各個金剛石納米線;去除位于各個金剛石納米線的頂端的掩膜層的材料。本發(fā)明采用ICP-RIE刻蝕,由于增加了具有高的等離子體密度及刻蝕效率的電感耦合元件,可以分別控制等離子體的產(chǎn)生和加速,實(shí)現(xiàn)了刻蝕過程和形貌可控,進(jìn)而得到了側(cè)壁陡直性更好且深寬比更高的金剛石納米線陣列。
聲明:
“金剛石納米線陣列、其制備方法及用于電化學(xué)分析的電極” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)