本發(fā)明公開了一種用于銀離子檢測(cè)的光
電化學(xué)法,首先通過(guò)電化學(xué)沉積法制備ZnO納米棒陣列電極;然后通過(guò)層層組裝的方法將PPDA和polyC先后修飾到ZnO納米棒陣列電極上,基于C-Ag+-C的特異性絡(luò)合作用構(gòu)建Ag+的光電化學(xué)傳感器,捕捉到Ag+之后再原位生成AgBr;再將原位生成AgBr增敏的光電化學(xué)傳感器采用光電流-時(shí)間方法檢測(cè)不同濃度的銀離子。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:基于原位生成AgBr納米粒子增強(qiáng)ZnO納米棒陣列的光電化學(xué)銀離子傳感體系能夠顯著地促進(jìn)載流子對(duì)的有效分離,光電流值提高近4.5倍。同時(shí)靈敏度高和特異性高,檢測(cè)時(shí)響應(yīng)速度快;所用材料制作簡(jiǎn)單、環(huán)境友好,檢測(cè)成本低,操作簡(jiǎn)單及便攜。
聲明:
“用于銀離子檢測(cè)的光電化學(xué)法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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