一種光
電化學(xué)光探測器,所述光電化學(xué)光探測器包括光電極,所述光電極包括導(dǎo)電襯底,還包括生長在所述襯底表面的氮化鎵(GaN)基納米線,所述GaN基納米線表面修飾有一層均勻的納米顆粒。本發(fā)明還公開了一種光電化學(xué)光探測器的制備方法。本發(fā)明的GaN基光電化學(xué)光探測器將具有表面等離子體增強效應(yīng)的金屬Rh(或Ag,Au,Al等金屬)納米顆粒修飾于Al
xGa
1?xN,In
xGa
1?xN,In
yAl
xGa
1?x?yN,B
xAl
yGa
1?x?yN,B
xIn
yGa
1?x?yN納米線表面,提高半導(dǎo)體納米線自身光生載流子產(chǎn)生量的同時向半導(dǎo)體注入熱電子,最終實現(xiàn)光電化學(xué)光探測器光電流響應(yīng)的提升。
聲明:
“基于等離子體激元增強的光電化學(xué)光探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)