本發(fā)明公開了一種電化學(xué)沉積納米薄膜的厚度測(cè)量方法。本發(fā)明首先制備多個(gè)互相絕緣的金屬薄膜電極，將進(jìn)行電化學(xué)沉積的金屬薄膜電極通過電纜連接至電化學(xué)工作站，進(jìn)行電化學(xué)沉積，采用形貌掃描設(shè)備掃描未進(jìn)行電化學(xué)沉積和已進(jìn)行電化學(xué)沉積的金屬薄膜電極的表面，得到掃描高度曲線；對(duì)掃描高度曲線進(jìn)行拉平，得到去掉傾角的形貌曲線；根據(jù)去掉傾角的形貌曲線，計(jì)算未進(jìn)行電化學(xué)沉積的金屬薄膜電極的高度與已進(jìn)行電化學(xué)沉積的金屬薄膜電極的高度差，從而得到電化學(xué)沉積薄膜的厚度；本發(fā)明簡(jiǎn)單易行，測(cè)量精度高；掃描設(shè)備的掃描量程為微米級(jí)，在此范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)納米級(jí)的掃描精度，因此能夠準(zhǔn)確測(cè)量出納米級(jí)的電化學(xué)沉積薄膜的厚度。