本發(fā)明公開了一種三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測器,包括基體B、A1層和A2層,所述A1層和A2層分別設(shè)置于基體B的上表面和下表面,所述A1層的邊緣覆蓋有O1層,所述A2層的邊緣覆蓋有02層,所述A1層和A2層之間設(shè)置有基體B,所述基體B的頂部設(shè)有不同半徑但寬度相同的圓環(huán)柱F1?F3,所述基體B頂部的中央懸浮有中央收集陽極FO,所述基體B的底部設(shè)有外圍電極C1?C9,且通過D連接在一起。本發(fā)明三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測器以其均勻的電勢電場分布,沒有死區(qū),電荷收集率高等優(yōu)點,可應(yīng)用在光子物理實驗以及較低輻照強度的科研領(lǐng)域。通過對三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測器的研究,可以使三維理想球型電極硅探測器的設(shè)想得以實現(xiàn)。
聲明:
“三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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