本說明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種片式熔斷器失效點(diǎn)的分析方法及裝置,所述熔斷器失效點(diǎn)的分析方法包括對(duì)待檢測的片式熔斷器的外觀進(jìn)行觀察,檢測所述片式熔斷器的陶瓷基片是否損壞;將外觀合格的片式熔斷器進(jìn)行X射線檢查,查找所述外觀合格的片式熔斷器失效點(diǎn)的位置;對(duì)外觀合格的片式熔斷器進(jìn)行第一導(dǎo)通測試,確認(rèn)所述外觀合格的片式熔斷器是否為開路;通過化學(xué)方法對(duì)所述外觀合格的片式熔斷器進(jìn)行處理,獲得去除保護(hù)膜的片式熔斷器;對(duì)所述去除保護(hù)膜的片式熔斷器進(jìn)行第二導(dǎo)通測試,獲得原始形貌完整的失效點(diǎn)的數(shù)量和位置。通過本發(fā)明方法中化學(xué)處理法對(duì)片式熔斷器保護(hù)膜的處理,對(duì)導(dǎo)電膜造成的損壞低,降低了失效點(diǎn)的原始形貌的受損程度。
聲明:
“片式熔斷器失效點(diǎn)的分析方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)